CE3512K2

Name: CEL CE3512K2
Brand: CEL
SKU: 551-CE3512K2
Price: 125.28 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

551-CE3512K2

Mfr. #:

CE3512K2

Mfr.:

CEL

Paglalarawan:

RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

Datasheet:

CE3512K2 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa CEL CE3512K2

May Stock: 812

Stock:: 812 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 2 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱125.28	₱125.28
	₱84.10	₱841.00
	₱69.02	₱6,902.00
	₱59.74	₱29,870.00
	₱58.00	₱290,000.00
	₱56.61	₱566,100.00

Alternatibong Packaging

Mfr. # ng Piyesa:

CE3512K2-C1

Packaging:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Availability:

May Stock

Presyo:

₱96.86

Min:

Katulad na Produkto

Mfr.:

CEL

Mfr. #:

CE3512K2-C1

Paglalarawan:

RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

Paghambingin ang Kasalukuyang Piyesa

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	CEL
Kategorya ng Produkto:	Mga RF JFET Transistor
RoHS:
Uri ng Transistor:	pHEMT
Teknolohiya:	GaAs
Frequency ng Pagpapatakbo:	12 GHz
Gain:	13.7 dB
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	4 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 3 V
Id - Continuous Drain Current:	10 mA
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 125 C
Pd - Power Dissipation:	125 mW
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	MICRO-X-4
Packaging:	Bulk
Brand:	CEL
Kumpigurasyon:	Single
Forward Transconductance - Min:	54 mS
Gate-Source Cutoff Voltage:	- 750 mV
NF - Noise Figure:	0.3 dB
Uri ng Produkto:	RF JFET Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika:	1
Subcategory:	Transistors
Timbang ng Unit:	16.473 mg

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

CE3512K2 Datasheet (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.