IXBT14N300HV

IXYS
576-IXBT14N300HV
IXBT14N300HV

Mfr.:

Paglalarawan:
IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

Inoorder:
300
Inaasahan 7/13/2026
Lead-Time ng Pabrika:
57
(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱2,868.10 ₱2,868.10
₱2,264.32 ₱22,643.20
₱2,131.50 ₱255,780.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
IXYS
Kategorya ng Produkto: Mga IGBT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Single
3 kV
2.7 V
- 20 V, 20 V
38 A
200 W
- 55 C
+ 150 C
Very High Voltage
Tube
Brand: IXYS
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: KR
Maselan sa Moisture: Yes
Uri ng Produkto: IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 30
Subcategory: IGBTs
Pangalang pangkalakal: BIMOSFET
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs combine the strengths of MOSFETs and IGBTs. These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode. The "Free" intrinsic body diodes of the IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs serve as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.