Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IXFN210N20P

Name: IXYS IXFN210N20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N20P
Price: 2681.92 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

747-IXFN210N20P

Mfr. #:

IXFN210N20P

Mfr.:

IXYS

Paglalarawan:

MOSFET Modules 188 Amps 200V 0.0105 Rds

Datasheet:

IXFN210N20P Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa IXYS IXFN210N20P

May Stock: 1,219

Stock:: 1,219

Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 298

Inaasahan 6/8/2026
Lead-Time ng Pabrika:: 30

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱2,681.92	₱2,681.92
	₱2,018.40	₱20,184.00
	₱1,878.04	₱187,804.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	IXYS
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET Module
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	SOT-227-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Id - Continuous Drain Current:	188 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	10.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	1.07 kW
Series:	HiPerFET
Packaging:	Tube
Brand:	IXYS
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	KR
Bansang Pinagmulan:	KR
Uri ng Produkto:	MOSFET Modules
Dami ng Pack ng Pabrika:	10
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Pangalang pangkalakal:	HiPerFET
Uri:	HiperFET
Timbang ng Unit:	30 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IXFN210N20P Datasheet

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.