Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IMT65R033M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R033M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R033M2HXUMA
Price: 560.28 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IMT65R033M2HXUMA

Mfr. #:

IMT65R033M2HXUMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

IMT65R033M2HXUMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IMT65R033M2HXUMA1

May Stock: 1,756

Stock:: 1,756 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 8 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱560.28	₱560.28
	₱417.02	₱4,170.20
	₱347.42	₱34,742.00
	₱311.46	₱155,730.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2000)
	₱264.48	₱528,960.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	HSOF-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	68 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	41 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5.6 V
Qg - Gate Charge:	34 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	312 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	4.8 ns
Maselan sa Moisture:	Yes
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Produkto:	SiC MOSFETS
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	9.1 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	2000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	15 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	8.8 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IMT65R033M2HXUMA1 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 650V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 MOSFET ay gumagamit ng mga kakayahan sa pagganap ng silicon carbide sa pamamagitan ng pagpapagana ng mas mababang pagkawala ng enerhiya, na nagsasalin sa mas mataas na kahusayan sa panahon ng conversion ng kuryente. Maraming naitutulong ang Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET para sa iba't ibang power semiconductor application gaya ng photovoltaics, energy storage, DC EV charging, mga motor drive, at industrial power supply. Kapag may CoolSiC G2 ang isang DC fast charging station na para sa mga electric vehicle, hanggang 10% na less ang power loss kaysa sa mga naunang generation habang nagiging mas mataas ang charging capacity nang hindi nakokompromiso ang mga form factor.