IPW65R145CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPW65R145CFD7AX1
IPW65R145CFD7AXKSA1

Mfr.:

Paglalarawan:
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

Inoorder:
240
Lead-Time ng Pabrika:
20
(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱281.88 ₱281.88
₱157.76 ₱1,577.60
₱130.50 ₱13,050.00
₱121.80 ₱58,464.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Infineon
Kategorya ng Produkto: Mga MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
17 A
145 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
36 nC
- 40 C
+ 150 C
98 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Tube
Brand: Infineon Technologies
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: DE
Uri ng Produkto: MOSFETs
Series: CoolMOS CFD7A
Dami ng Pack ng Pabrika: 240
Subcategory: Transistors
Mga Alias ng # ng Piyesa : IPW65R145CFD7A SP005398483
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.