Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH80NE2LM7UCGS
Price: 154.86 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IQEH80NE2LM7UCGS

Mfr. #:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

May Stock: 4,792

Stock:: 4,792 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 52 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱154.86	₱154.86
	₱99.18	₱991.80
	₱67.28	₱6,728.00
	₱56.32	₱28,160.00
	₱49.53	₱49,530.00
	₱45.88	₱114,700.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 6000)
	₱42.69	₱256,140.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	25 V
Id - Continuous Drain Current:	282 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	800 uOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg - Gate Charge:	17.2 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	107 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	OptiMOS
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	2.7 ns
Forward Transconductance - Min:	50 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	1.4 ns
Series:	OptiMOS 7
Dami ng Pack ng Pabrika:	6000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	20.1 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	5.4 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IQEH80NE2LM7UCGSC SP006008718

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Datasheet (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.