Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

WST4300D-GP4

Name: MACOM WST4300D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 937-WST4300D-GP4
Price: 15581.12 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

937-WST4300D-GP4

Mfr. #:

WST4300D-GP4

Mfr.:

MACOM

Paglalarawan:

GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

WST4300D-GP4 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa MACOM WST4300D-GP4

May Stock: 50

Stock:: 50 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 10 Mga Multiple: 10

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱15,581.12	₱155,811.20
100	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	MACOM
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	84 V
Id - Continuous Drain Current:	4.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	110 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 2 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 2 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 85 C
Brand:	MACOM
Kumpigurasyon:	Single
Gain:	20 dB
Maximum na Operating Frequency:	6 GHz
Minimum na Operating Frequency:	DC
Output Power:	89.13 W
Produkto:	GaN FETs
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Dami ng Pack ng Pabrika:	10
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN, SiC
Uri:	GaN on SiC Transistor

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

WST4300D-GP4 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.