MT41K512M8DA-093:P

Micron
340-265839-TRAY
MT41K512M8DA-093:P

Mfr.:

Paglalarawan:
DRAM DDR3 4Gbit 8 78/117TFBGA 1 CT

Lifecycle:
I-verify ang Status sa Pabrika:
Hindi maliwanag ang impormasyon ng lifecycle. Kumuha ng quote para ma-verify ang availability ng numero ng piyesa na ito mula sa manufacturer.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 2,191

Stock:
2,191 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
53 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Ang mga dami na higit pa sa 2191 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.
Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1   Maximum: 2191
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱947.14 ₱947.14
₱908.28 ₱9,082.80

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Micron Technology
Kategorya ng Produkto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
8 bit
1.066 GHz
FBGA-78
512 M x 8
13.09 ns
1.283 V
1.45 V
0 C
+ 95 C
MT41K
Tray
Brand: Micron
Maselan sa Moisture: Yes
Isitilo ng Mounting: SMD/SMT
Uri ng Produkto: DRAM
Dami ng Pack ng Pabrika: 1440
Subcategory: Memory & Data Storage
Timbang ng Unit: 1.233 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.