Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

QPD1003

Name: Qorvo QPD1003
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1003
Price: 80192.54 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

772-QPD1003

Mfr. #:

QPD1003

Mfr.:

Qorvo

Paglalarawan:

GaN FETs 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

Datasheet:

QPD1003 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Qorvo QPD1003

May Stock: 16

Stock:: 16 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ang mga dami na higit pa sa 16 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱80,192.54	₱80,192.54

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Qorvo
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	RF-565
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	50 V
Id - Continuous Drain Current:	15 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 2.8 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 85 C
Pd - Power Dissipation:	370 W
Brand:	Qorvo
Kumpigurasyon:	Single
Kit sa Pag-develop:	QPD1003PCB401
Gain:	19.9 dB
Maximum na Operating Frequency:	1.4 GHz
Minimum na Operating Frequency:	1.2 GHz
Maselan sa Moisture:	Yes
Output Power:	540 W
Packaging:	Tray
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Series:	QPD1003
Dami ng Pack ng Pabrika:	18
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	HEMT
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	145 V
Mga Alias ng # ng Piyesa :	1131389
Timbang ng Unit:	104.655 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

QPD1003 Datasheet (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.