Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

TP65H030G4PQS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PQS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PQS-TR
Price: 572.46 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

227-TP65H030G4PQS-TR

Mfr. #:

TP65H030G4PQS-TR

Mfr.:

Renesas Electronics

Paglalarawan:

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

TP65H030G4PQS-TR Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Renesas Electronics TP65H030G4PQS-TR

May Stock: 351

Stock:: 351 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Packaging:

Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2000)

Cut Tape

MouseReel™ (+₱350.00)

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	₱572.46	₱572.46
	₱394.98	₱3,949.80
	₱263.32	₱26,332.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2000)
	₱262.74	₱525,480.00

† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Renesas Electronics
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	TOLL-10
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	55.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	41 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.8 V
Qg - Gate Charge:	24.5 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	192 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	SuperGaN
Brand:	Renesas Electronics
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	8 ns
Maselan sa Moisture:	Yes
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Produkto:	FETs
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Tagal ng Pagtaas:	6.4 ns
Series:	Gen IV SuperGaN
Dami ng Pack ng Pabrika:	2000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Uri:	GaN FET
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	63.6 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	26.4 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

TP65H030G4PQS-TR Datasheet (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN^® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.