MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

Mfr.:

Paglalarawan:
Gate Drivers High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 115

Stock:
115 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Ang mga dami na higit pa sa 115 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱660.04 ₱660.04
₱508.08 ₱5,080.80
₱475.02 ₱11,875.50
₱430.94 ₱43,094.00
₱411.22 ₱102,805.00
₱394.98 ₱197,490.00
₱364.82 ₱364,820.00
2,500 Quote

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga Gate Driver
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Brand: STMicroelectronics
Mga Feature: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Input Voltage - Max: 15 V
Input Voltage - Min: 3.3 V
Maselan sa Moisture: Yes
Uri ng Produkto: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source Resistance: 225 mOhms
Dami ng Pack ng Pabrika: 1560
Subcategory: PMIC - Power Management ICs
Timbang ng Unit: 150 mg
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.