SCT040W120G3

STMicroelectronics
511-SCT040W120G3
SCT040W120G3

Mfr.:

Paglalarawan:
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
Hindi Naka-stock
Lead-Time ng Pabrika:
Minimum: 600   Mga Multiple: 600
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱749.94 ₱449,964.00
1,200 Quote

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
40 A
54 mOhms
-10 V, 22 V
4.2 V
56 nC
- 55 C
+ 200 C
312 W
Enhancement
Brand: STMicroelectronics
Kumpigurasyon: Single
Tagal ng Pagbagsak: 11 ns
Packaging: Tube
Produkto: SiC MOSFETS
Uri ng Produkto: SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas: 16 ns
Dami ng Pack ng Pabrika: 600
Subcategory: Transistors
Teknolohiya: SiC
Uri ng Transistor: 1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off: 23 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on: 14 ns
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99