Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

SCTL35N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTL35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTL35N65G2V
Price: 929.16 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

511-SCTL35N65G2V

Mfr. #:

SCTL35N65G2V

Mfr.:

STMicroelectronics

Paglalarawan:

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Kumpletuhin ang Iyong Disenyo

Datasheet:

SCTL35N65G2V Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa STMicroelectronics SCTL35N65G2V

May Stock: 2,329

Stock:: 2,329 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ang mga dami na higit pa sa 2329 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Packaging:

Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)

Cut Tape

MouseReel™ (+₱350.00)

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	₱929.16	₱929.16
	₱656.56	₱6,565.60
	₱603.78	₱60,378.00
	₱603.20	₱301,600.00
	₱602.62	₱602,620.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱493.00	₱1,479,000.00
6,000	Quote

† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	PowerFLAT-5
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	40 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	67 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5 V
Qg - Gate Charge:	73 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	417 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	STMicroelectronics
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	14 ns
Maselan sa Moisture:	Yes
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	35 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	16 ns
Timbang ng Unit:	180 mg

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SCTL35N65G2V Datasheet (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.