STDRIVEG611Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611Q
STDRIVEG611Q

Mfr.:

Paglalarawan:
Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 230

Stock:
230 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱174.58 ₱174.58
₱131.08 ₱1,310.80
₱120.06 ₱3,001.50
₱107.88 ₱10,788.00
₱98.60 ₱24,650.00
₱95.70 ₱47,850.00
₱94.54 ₱94,540.00
₱92.22 ₱230,550.00
₱90.48 ₱443,352.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga Gate Driver
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Brand: STMicroelectronics
Input Voltage - Max: 20 V
Input Voltage - Min: 3.3 V
Maximum na Tagal ng Delay sa Pag-Off: 60 ns
Maximum na Tagal ng Delay sa Pag-On: 60 ns
Maselan sa Moisture: Yes
Uri ng Produkto: Gate Drivers
Shutdown: No Shutdown
Dami ng Pack ng Pabrika: 4900
Subcategory: PMIC - Power Management ICs
Teknolohiya: GaN
Timbang ng Unit: 44 mg
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver is a high-voltage half-bridge gate driver for N-channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.