STGF10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF10M65DF2
STGF10M65DF2

Mfr.:

Paglalarawan:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
Hindi Naka-stock
Lead-Time ng Pabrika:
15 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.
Minimum: 2000   Mga Multiple: 1000
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱28.71 ₱57,420.00
₱26.04 ₱130,200.00
₱25.29 ₱252,900.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
20 A
30 W
- 55 C
+ 175 C
STGF10M65DF2
Brand: STMicroelectronics
Tuloy-tuloy na Collector Current Ic Max: 20 A
Gate-Emitter Leakage Current: +/- 250 uA
Uri ng Produkto: IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 1000
Subcategory: IGBTs
Timbang ng Unit: 2 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99