STW28N60DM2

STMicroelectronics
511-STW28N60DM2
STW28N60DM2

Mfr.:

Paglalarawan:
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

Inoorder:
494
Inaasahan 4/7/2026
600
Inaasahan 8/3/2026
Lead-Time ng Pabrika:
20
(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱276.08 ₱276.08
₱153.70 ₱1,537.00
₱127.02 ₱12,702.00
₱113.68 ₱68,208.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
130 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Brand: STMicroelectronics
Kumpigurasyon: Single
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: SG
Uri ng Produkto: MOSFETs
Series: STW28N60DM2
Dami ng Pack ng Pabrika: 600
Subcategory: Transistors
Uri ng Transistor: 1 N-Channel
Timbang ng Unit: 6 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.