Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

XPJR6604PB,LXHQ

Name: Toshiba XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPJR6604PBLXHQ
Price: 143.26 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

757-XPJR6604PBLXHQ

Mfr. #:

XPJR6604PB,LXHQ

Mfr.:

Toshiba

Paglalarawan:

MOSFETs 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

Datasheet:

XPJR6604PB,LXHQ Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Toshiba XPJR6604PB,LXHQ

May Stock: 3,360

Stock:: 3,360 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 14 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Packaging:

Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1500)

Cut Tape

MouseReel™ (+₱350.00)

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	₱143.26	₱143.26
	₱88.16	₱881.60
	₱80.04	₱8,004.00
	₱79.46	₱39,730.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1500)
	₱67.86	₱101,790.00
	₱67.28	₱605,520.00

† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Toshiba
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id - Continuous Drain Current:	200 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	530 uOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Qg - Gate Charge:	128 nC
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	375 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Brand:	Toshiba
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	54 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	42 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	1500
Subcategory:	Transistors
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	152 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	73 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

XPJR6604PB,LXHQ Datasheet (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

L-TOGL & S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-Ch MOSFETs

Toshiba L-TOGL and S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-Channel MOSFETs deliver ultra-low on-resistance, a high drain current rating, and high heat dissipation. This is achieved by combining high heat dissipation packages [L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads) and S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads)] with the U-MOS IX-H and U-MOS X-H chip processes. Toshiba L-TOGL and S-TOGL MOSFETs also offer high current capability and high heat dissipation to help improve power density in a wide variety of automotive applications. The L-TOGL package is equivalent in size to the existing TO-220SM(W) package. However, XPQR3004PB greatly improves the current rating and significantly lowers the on-resistance to 0.23mΩ typical. L-TOGLs optimized package footprint also helps improve thermal characteristics when compared to the same-sized TO-220SM(W) package.

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.