Lumaktaw sa Pangunahing Nilalaman

+632 5304 7400

Bahagi ng TTI Family of Specialists Makipag-ugnayan sa Mouser +632 5304 7400 Feedback

Palitan ang Lokasyon

May Stock

RoHS

Mag-log In
Bagong kostumer? Magsimula dito
Mag-log In
Bagong kostumer? Magsimula dito

Orders

Mfr.	Mfr. #:	Dami	Kabuuang Ext

Tingnan ang Cart

Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

GS61008P-E05-MR

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

499-GS61008P-E05-MR

Mfr. #:

GS61008P-E05-MR

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

GaN FETs No longer available. Order GS61008P-MR

Lifecycle:

Laos na

Datasheet:

GS61008P-E05-MR Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Alerto sa Pagpapadala:

Kasalukuyang hindi ibinebenta ng Mouser ang produktong ito sa inyong rehiyon.

Availability

Stock:: May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
Mga Paghihigpit sa Pagpapadala:	Kasalukuyang hindi ibinebenta ng Mouser ang produktong ito sa inyong rehiyon.
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	GaNPX-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id - Continuous Drain Current:	90 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	9.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.7 V
Qg - Gate Charge:	8 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Maselan sa Moisture:	Yes
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Produkto:	MOSFETs
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Series:	GS6100x
Dami ng Pack ng Pabrika:	250
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	E-HEMT Power Transistor
Timbang ng Unit:	4.675 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

GS61008P-E05-MR Datasheet (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MGA TAMPOK NA PRODUKTO

INFINEON

700V CoolGaN™ G5 Power Transistors

Designed to operate at high frequencies with superior efficiency, enabling ultra-fast switching.

CoolGaN™ G3 Transistors

designed to deliver superior performance in high-power density applications.

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Features highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion.

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Features highly efficient GaN transistor technology for power conversion up to 650V.

700V CoolGaN™ G4 Power Transistors

Designed with low R_th(j-c) for high-power applications and highly efficient power switching.