Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

LSIC1MO120E0120

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

576-LSIC1MO120E0120

Mfr. #:

LSIC1MO120E0120

Mfr.:

IXYS

Lifecycle:

Espesyal na Order sa Pabrika:

Kumuha ng quote para ma-verify ang kasalukuyang presyo, lead-time at mga kinakailangan ng manufacturer sa pag-order.

Datasheet:

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Stock:: Hindi Available

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

Humiling ng Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	IXYS
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	27 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.8 V
Qg - Gate Charge:	80 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	139 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	IXYS
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	10 ns
Packaging:	Tube
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	7 ns
Series:	LSIC1MO
Dami ng Pack ng Pabrika:	450
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	16 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	12 ns
Timbang ng Unit:	6 g