Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IMBF170R1K0M1XTMA1

Name: Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBF170R1K0M1XTM
Price: 275.5 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IMBF170R1K0M1XTM

Mfr. #:

IMBF170R1K0M1XTMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datasheet:

IMBF170R1K0M1XTMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IMBF170R1K0M1XTMA1

May Stock: 771

Stock:: 771

Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 4,000

Inaasahan 3/2/2026
Lead-Time ng Pabrika:: 26

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Packaging:

Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1000)

Cut Tape

MouseReel™ (+₱350.00)

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	₱275.50	₱275.50
	₱182.12	₱1,821.20
	₱136.88	₱13,688.00
	₱124.12	₱62,060.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1000)
	₱102.08	₱102,080.00

† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-263-7
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.7 kV
Id - Continuous Drain Current:	5.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	1 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.5 V
Qg - Gate Charge:	5 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	68 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	CoolSiC
Brand:	Infineon Technologies
Tagal ng Pagbagsak:	22 ns
Forward Transconductance - Min:	0.42 S
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	11 ns
Series:	CoolSiC 1700V
Dami ng Pack ng Pabrika:	1000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	20 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	19 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IMBF170R1K0M1 SP002739692
Timbang ng Unit:	1.600 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IMBF170R1K0M1XTMA1 Datasheet (PDF)

Product Catalogs

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs feature a revolutionary Silicon Carbide material optimized for fly-back topologies. The SiC Trench MOSFETs offer a 12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers.