Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

NXH030P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH030P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH030P12M3F1PTG
Price: 4445.12 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

863-NXH030P12M3F1PTG

Mfr. #:

NXH030P120M3F1PTG

Mfr.:

onsemi

Paglalarawan:

MOSFET Modules 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

NXH030P120M3F1PTG Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 25

Stock:: 25 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 19 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱4,445.12	₱4,445.12
	₱3,697.50	₱36,975.00
	₱3,367.48	₱377,157.76

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	onsemi
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET Module
RoHS:
Teknolohiya:	SiC
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	PIM-18
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	42 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	38.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.4 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	100 W
Series:	NXH030P120M3F1PTG
Packaging:	Tray
Brand:	onsemi
Kumpigurasyon:	Half-Bridge
Tagal ng Pagbagsak:	9.4 ns
Taas:	12.35 mm
Haba:	63.3 mm
Uri ng Produkto:	MOSFET Modules
Tagal ng Pagtaas:	6.6 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	28
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Pangalang pangkalakal:	EliteSiC
Uri:	Half Bridge
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	84.8 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	19.6 ns
Lapad:	34.1 mm

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

NXH030P120M3F1PTG Datasheet

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

onsemi NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules contain 8mΩ/1200V, 10mΩ/1200V, 15mΩ/1200V, and 30mΩ/1200V M3S SiC MOSFETs based on half-bridge topology and a thermistor in a F1 package. These modules feature pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The NXH0xxP120M3F1 modules are designed with press-fit pins and are Pb-free, Halide-free, and RoHS-compliant. These power modules are used in solar inverters, industrial power, Electric Vehicle (EV) charging stations, and Uninterruptible Power Supplies (UPS).