Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

BSM300D12P4G101

Name: ROHM Semiconductor BSM300D12P4G101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM300D12P4G101
Price: 36887.42 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-BSM300D12P4G101

Mfr. #:

BSM300D12P4G101

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

MOSFET Modules 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Datasheet:

BSM300D12P4G101 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 4

Stock:: 4 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 27 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱36,887.42	₱36,887.42
	₱31,451.08	₱377,412.96

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET Module
RoHS:
Teknolohiya:	SiC
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	Module
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	291 A
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.8 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	925 W
Packaging:	Bulk
Brand:	ROHM Semiconductor
Kumpigurasyon:	Dual
Tagal ng Pagbagsak:	57 ns
Haba:	152 mm
Uri ng Produkto:	MOSFET Modules
Tagal ng Pagtaas:	45 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	4
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Uri:	SiC Power Module
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	270 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	63 ns
Lapad:	62 mm

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

BSM300D12P4G101 Datasheet (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.