Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

E4MS036120K

Name: Wolfspeed E4MS036120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS036120K
Price: 464 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

941-E4MS036120K

Mfr. #:

E4MS036120K

Mfr.:

Wolfspeed

Paglalarawan:

SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

E4MS036120K Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Wolfspeed E4MS036120K

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: Humiling ng Quote sa Paghahatid

Ipasok ang Dami:

Minimum: 450 Mga Multiple: 450

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱464.00	₱208,800.00
	₱412.96	₱371,664.00
	₱350.90	₱473,715.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Wolfspeed
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	55 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	47 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.6 V
Qg - Gate Charge:	88 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	211 W
Channel Mode:	Enhancement
Kuwalipikasyon:	AEC-Q101
Brand:	Wolfspeed
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	4 ns
Forward Transconductance - Min:	20 S
Produkto:	SiC MOSFET
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	3 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channe
Uri:	Silicon Carbide Power MOSFET
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	29 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	12 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

E4MS036120K Datasheet (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.