FM25V10-DG

Infineon Technologies
727-FM25V10-DG
FM25V10-DG

Mfr.:

Paglalarawan:
F-RAM FRAM

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 102

Stock:
102 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
14 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱923.36 ₱923.36
₱856.66 ₱8,566.60
₱829.98 ₱20,749.50
₱809.68 ₱40,484.00
₱789.96 ₱78,996.00
₱754.58 ₱188,645.00
₱748.20 ₱276,834.00
1,110 Quote

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Infineon
Kategorya ng Produkto: F-RAM
RoHS:  
1 Mbit
SPI
25 MHz, 40 MHz
128 k x 8
DFN-8
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM25V10-G
Tube
Brand: Infineon Technologies
Maselan sa Moisture: Yes
Isitilo ng Mounting: SMD/SMT
Supply Voltage ng Pagpapatakbo: 2 V to 3.6 V
Uri ng Produkto: FRAM
Dami ng Pack ng Pabrika: 370
Subcategory: Memory & Data Storage
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.