Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

GCMX005A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120S3B1N
Price: 10094.32 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

148-GCMX005A120S3B1N

Mfr. #:

GCMX005A120S3B1-N

Mfr.:

SemiQ

Paglalarawan:

MOSFET Modules 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

GCMX005A120S3B1-N Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa SemiQ GCMX005A120S3B1-N

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 15 Mga Multiple: 15

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱10,094.32	₱151,414.80
105	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	SemiQ
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET Module
RoHS:
Teknolohiya:	SiC
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	S3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	424 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	1.531 kW
Series:	GCMX
Packaging:	Bulk
Brand:	SemiQ
Tagal ng Pagbagsak:	24 ns
Taas:	30.9 mm
Haba:	106.4 mm
Produkto:	Modules
Uri ng Produkto:	MOSFET Modules
Tagal ng Pagtaas:	18 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	15
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Uri:	Half Bridge Module
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	114 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	65 ns
Vf - Forward Voltage:	4 V
Lapad:	61.4 mm

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

GCMX005A120S3B1-N Datasheet (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Mga GCMX 1200V SiC MOSFET Half-Bridge Module

Ang mga SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET Half-Bridge Module ay nag-aalok ng mabababang switching loss, mababang junction-to-case na thermal resistance, at napakatatag at madaling pag-mount. Direktang imina-mount ng mga module na ito ang heatsink (isolated na package) at may Kelvin reference para sa stable na operasyon. Ang lahat ng piyesa ay na-test nang husto para makayanan ang mga voltage na lampas 1350V. Ang natatanging feature ng mga module na ito ay ang matatag na 1200V na drain-source voltage. Ang mga GCMX half-bridge module ay gumagana sa 175°C na junction temperature at RoHS-compliant. Kasama sa mga karaniwang pinaggagamitan ang mga battery charger, energy storage system, at high-voltage DC-to-DC converter.

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).