Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IGI65D1414A3MSXUMA1

Name: Infineon IGI65D1414A3MSXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGI65D1414A3MSXU
Price: 411.22 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IGI65D1414A3MSXU

Mfr. #:

IGI65D1414A3MSXUMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

IGI65D1414A3MSXUMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 2,392

Stock:: 2,392 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 18 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱411.22	₱411.22
	₱277.82	₱2,778.20
	₱207.06	₱20,706.00
	₱187.34	₱187,340.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱169.36	₱508,080.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	QFN-32
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Rds On - Drain-Source Resistance:	170 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.6 V
Qg - Gate Charge:	1.8 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Dual
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Produkto:	Transistors
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	2 N-Channel
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IGI65D1414A3MS SP005970004

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IGI65D1414A3MSXUMA1 Datasheet (PDF)

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.