Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IGLD65R080D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R080D2AUMA
Price: 303.34 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IGLD65R080D2AUMA

Mfr. #:

IGLD65R080D2AUMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

IGLD65R080D2AUMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IGLD65R080D2AUMA1

May Stock: 2,832

Stock:: 2,832 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 18 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱303.34	₱303.34
	₱220.40	₱2,204.00
	₱158.34	₱15,834.00
	₱154.28	₱77,140.00
	₱146.16	₱146,160.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱125.86	₱377,580.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	PG-LSON-8
Polarity ng Transistor:	HEMT
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	18 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.2 V
Qg - Gate Charge:	3.3 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	68 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	CoolGaN
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	17 ns
Maselan sa Moisture:	Yes
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Produkto:	GaN Transistors
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Tagal ng Pagtaas:	8 ns
Series:	650 V G5
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	11 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	8 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IGLD65R080D2 SP005918713

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IGLD65R080D2AUMA1 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.