Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IMBG65R107M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R107M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R107M1HXTM
Price: 338.14 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IMBG65R107M1HXTM

Mfr. #:

IMBG65R107M1HXTMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Datasheet:

IMBG65R107M1HXTMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IMBG65R107M1HXTMA1

May Stock: 753

Stock:: 753 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 21 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Packaging:

Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1000)

Cut Tape

MouseReel™ (+₱350.00)

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	₱338.14	₱338.14
	₱194.88	₱1,948.80
	₱174.58	₱17,458.00
	₱174.00	₱87,000.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1000)
	₱141.52	₱141,520.00

† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	24 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	141 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5.7 V
Qg - Gate Charge:	35 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	110 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	CoolSiC
Brand:	Infineon Technologies
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Produkto:	MOSFETs
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Series:	CoolSiC 650V
Dami ng Pack ng Pabrika:	1000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IMBG65R107M1H SP005539184

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IMBG65R107M1HXTMA1 Datasheet (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.