Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

ISC130N20NM6ATMA1

Name: Infineon ISC130N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC130N20NM6ATMA
Price: 275.5 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-ISC130N20NM6ATMA

Mfr. #:

ISC130N20NM6ATMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

MOSFETs IFX FET >150 - 400V

Lifecycle:

Bago Sa Mouser

Datasheet:

ISC130N20NM6ATMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies ISC130N20NM6ATMA1

May Stock: 7,136

Stock:: 7,136 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 52 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱275.50	₱275.50
	₱241.28	₱2,412.80
	₱175.16	₱17,516.00
	₱160.08	₱80,040.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 5000)
	₱148.48	₱742,400.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	TSON-8-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Id - Continuous Drain Current:	88 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	13 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.5 V
Qg - Gate Charge:	39 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	242 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	9 ns
Forward Transconductance - Min:	17 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	15 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	5000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	20 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	10 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	ISC130N20NM6 SP005987558

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

ISC130N20NM6ATMA1 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

Mga OptiMOS™ 6 Power MOSFET

Ang mga Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Power MOSFETs nag-aalok sa susunod na henerasyon, makabagong ideya sa paglikha, at pinakamahusay na pagganap na klase. Ang pamilya ng OptiMOS 6 ay gumagamit ng manipis na teknolohiyang wafer na nagbibigay ng makabuluhang mga benepisyo sa pagganap. Kung ikukumpara sa mga alternatibong produkto, ang OptiMOS 6 Power MOSFETs ay may isang pinababang R_DS(ON) ng 30% at na-optimize para sa kasabay na pagwawasto.