MAPC-A3009-AB000

MACOM
937-MAPC-A3009-AB000
MAPC-A3009-AB000

Mfr.:

Paglalarawan:
GaN FETs Transistor, DC-4.0GHz, 50W, G28V5

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.
Maaaring mangailangan ng karagdagang dokumentasyon ang produktong ito para ma-export sa United States.

Availability

Stock:
0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

Lead-Time ng Pabrika:
26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱32,275.84 ₱32,275.84
₱28,736.10 ₱287,361.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
MACOM
Kategorya ng Produkto: GaN FETs
Mga Paghihigpit sa Pagpapadala:
 Maaaring mangailangan ng karagdagang dokumentasyon ang produktong ito para ma-export sa United States.
RoHS:  
SMD/SMT
440223
1 Channel
84 V
6 A
- 10 V, + 2 V
- 40 C
+ 85 C
Brand: MACOM
Kumpigurasyon: Single
Bansa ng Pag-assemble: US
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: US
Gain: 14.2 dB
Maximum na Operating Frequency: 4 GHz
Minimum na Operating Frequency: DC
Output Power: 48.6 dBm
Uri ng Produkto: GaN FETs
Dami ng Pack ng Pabrika: 1
Subcategory: Transistors
Uri: GaN on SiC Transistor
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.