MASTERGAN4LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4LTR
MASTERGAN4LTR

Mfr.:

Paglalarawan:
Gate Drivers 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 1,367

Stock:
1,367 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Ang mga dami na higit pa sa 1367 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱334.08 ₱334.08
₱256.36 ₱2,563.60
₱236.64 ₱5,916.00
₱215.18 ₱21,518.00
₱204.74 ₱51,185.00
₱198.94 ₱99,470.00
₱193.72 ₱193,720.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
₱183.28 ₱549,840.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga Gate Driver
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Brand: STMicroelectronics
Maximum na Tagal ng Delay sa Pag-Off: 45 ns
Maximum na Tagal ng Delay sa Pag-On: 45 ns
Maselan sa Moisture: Yes
Supply Current ng Pagpapatakbo: 6.5 A
Pd - Power Dissipation: 40 mW
Uri ng Produkto: Gate Drivers
Propagation Delay - Max: 70 ns
Rds On - Drain-Source Resistance: 495 mOhms
Shutdown: Shutdown
Dami ng Pack ng Pabrika: 3000
Subcategory: PMIC - Power Management ICs
Teknolohiya: GaN
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.