Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

NTH4L012N065M3S

Name: onsemi NTH4L012N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L012N065M3S
Price: 1157.1 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

863-NTH4L012N065M3S

Mfr. #:

NTH4L012N065M3S

Mfr.:

onsemi

Paglalarawan:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

NTH4L012N065M3S Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa onsemi NTH4L012N065M3S

Availability

Stock:: 0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 450

Inaasahan 3/6/2026
Lead-Time ng Pabrika:: 53

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱1,157.10	₱1,157.10
	₱951.78	₱9,517.80
	₱823.02	₱98,762.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	onsemi
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	102 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	17 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	135 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	375 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	EliteSiC
Brand:	onsemi
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	12 ns
Packaging:	Tube
Produkto:	SiC MOSFET
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	23 ns
Series:	NTH4L012N065M3S
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	49 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	5 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

NTH4L012N065M3S Datasheet (PDF)

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).