Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

NXH007F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H007F120M3F2PTHG
Price: 10101.28 PHP
Availability: InStock

Mouser #:

863-H007F120M3F2PTHG

Mfr. #:

NXH007F120M3F2PTHG

Mfr.:

onsemi

Paglalarawan:

MOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

NXH007F120M3F2PTHG Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa onsemi NXH007F120M3F2PTHG

May Stock: 23

Stock:: 23 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱10,101.28	₱10,101.28
	₱9,701.66	₱97,016.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	onsemi
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET Module
RoHS:
Teknolohiya:	SiC
Isitilo ng Mounting:	Press Fit
Package / Case:	PIM-34
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	149 A
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.72 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	353 W
Series:	NXH007F120M3F2PTHG
Packaging:	Tray
Brand:	onsemi
Kumpigurasyon:	Full Bridge
Tagal ng Pagbagsak:	13.2 ns
Uri ng Produkto:	MOSFET Modules
Tagal ng Pagtaas:	12 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	20
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Pangalang pangkalakal:	EliteSiC
Uri:	Full Bridge
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	121.6 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	37.2 ns
Vf - Forward Voltage:	5.03 V

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

NXH007F120M3F2PTHG Datasheet (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Mga NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET

Ang mga onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET ay mga power module na naglalaman ng full bridge at thermistor na nasa isang F1 package. Nagtatampok ang mga MOSFET na ito ng mga thermistor at mga press-fit pin. Naglalaan ang mga NXH0x0F120MNF1 module ng mga option na may pre-applied Thermal Interface Material (TIM) at walang pre-applied TIM. Bagay na bagay gamitin ang mga module na ito sa mga solar inverter, uninterruptible power supply, electric vehicle charging station, at industrial power. Ang mga NXH0x0F120MNF1 module ay Pb-Free, halide free, at RoHS compliant. Ang mga module na ito ay may -40°C hanggang 150°C na storage temperature range at -40°C hanggang 175°C na operating junction temperature range.