Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

RGS30TSX2GC11

Name: ROHM Semiconductor RGS30TSX2GC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS30TSX2GC11
Price: 377 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-RGS30TSX2GC11

Mfr. #:

RGS30TSX2GC11

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT

Datasheet:

RGS30TSX2GC11 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor RGS30TSX2GC11

May Stock: 886

Stock:: 886 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 22 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ang mga dami na higit pa sa 886 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱377.00	₱377.00
	₱260.42	₱2,604.20
	₱185.60	₱18,560.00
	₱183.28	₱82,476.00
	₱182.12	₱163,908.00
25,200	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknolohiya:	Si
Package / Case:	TO-247N-3
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Kumpigurasyon:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.1 V
Maximum na Gate Emitter Voltage:	30 V
Tuloy-tuloy na Collector Current sa 25 C:	30 A
Pd - Power Dissipation:	267 W
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Packaging:	Tube
Brand:	ROHM Semiconductor
Gate-Emitter Leakage Current:	500 nA
Uri ng Produkto:	IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika:	450
Subcategory:	IGBTs
Mga Alias ng # ng Piyesa :	RGS30TSX2

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

RGS30TSX2GC11 Datasheet (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter, UPS, PV inverters, and power conditioner applications. The RGSx0TSX2x IGBTs offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (V_CE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.