RGS50TSX2DGC11

ROHM Semiconductor
755-RGS50TSX2DGC11
RGS50TSX2DGC11

Mfr.:

Paglalarawan:
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 238

Stock:
238 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
22 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱534.76 ₱534.76
₱314.36 ₱3,143.60
₱307.40 ₱30,740.00
₱301.60 ₱135,720.00
₱281.88 ₱253,692.00
10,350 Quote

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto: Mga IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
50 A
395 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Brand: ROHM Semiconductor
Gate-Emitter Leakage Current: 500 nA
Uri ng Produkto: IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 450
Subcategory: IGBTs
Mga Alias ng # ng Piyesa : RGS50TSX2D
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter, UPS, PV inverters, and power conditioner applications. The RGSx0TSX2x IGBTs offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.