Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

RJ1G10BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1G10BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1G10BBGTL1
Price: 372.94 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-RJ1G10BBGTL1

Mfr. #:

RJ1G10BBGTL1

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

MOSFETs Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

RJ1G10BBGTL1 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor RJ1G10BBGTL1

May Stock: 560

Stock:: 560 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 18 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱372.94	₱372.94
	₱285.36	₱2,853.60
	₱230.84	₱23,084.00
	₱205.32	₱102,660.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 800)
	₱175.74	₱140,592.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-263AB-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id - Continuous Drain Current:	280 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.43 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Qg - Gate Charge:	210 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	192 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	ROHM Semiconductor
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	340 ns
Forward Transconductance - Min:	70 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	64 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	800
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	280ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	49 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

RJ1G10BBGTL1 Datasheet

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RJ1x10BBG Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Power MOSFETs are N-channel power MOSFETs featuring low on-resistance and a high power package. The RJ1G10BBG and RJ1L10BBG power MOSFETs have a drain-source voltage of 40V and 60V, a continuous drain current of ±280A and ±240A, respectively, and a power dissipation of 192W. The RJ1x10BBG power MOSFETs are RoHS compliant. These power MOSFETs feature lead-free plating, are halogen-free, and 100% Rg and UIS tested. The RJ1x10BBG power MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching, motor drives, and DC/DC converters.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.