Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

SI8902AEDB-T2-E1

Name: Vishay SI8902AEDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8902AEDB-T2-E1
Price: 16.59 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

78-SI8902AEDB-T2-E1

Mfr. #:

SI8902AEDB-T2-E1

Mfr.:

Vishay Semiconductors

Paglalarawan:

MOSFETs 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

Datasheet:

SI8902AEDB-T2-E1 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Vishay Semiconductors SI8902AEDB-T2-E1

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: Humiling ng Quote sa Paghahatid

Ipasok ang Dami:

Minimum: 6000 Mga Multiple: 3000

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱16.59	₱99,540.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Vishay
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	MicroFoot-6
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	24 V
Id - Continuous Drain Current:	11 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	28 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	400 mV
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	5.7 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel
Brand:	Vishay Semiconductors
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	12 us
Forward Transconductance - Min:	15 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	3.5 us
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	25 us
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	1.5 us
Timbang ng Unit:	128.380 mg

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SI8902AEDB-T2-E1 Datasheet

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.