STGB30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGB30M65DF2
STGB30M65DF2

Mfr.:

Paglalarawan:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 1,470

Stock:
1,470 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
15 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
Packaging:
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1000)

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™
₱186.76 ₱186.76
₱121.80 ₱1,218.00
₱84.68 ₱8,468.00
₱71.92 ₱35,960.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1000)
₱63.22 ₱63,220.00
₱58.00 ₱116,000.00
† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga IGBT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGB30M65DF2
Reel
Cut Tape
MouseReel
Brand: STMicroelectronics
Uri ng Produkto: IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 1000
Subcategory: IGBTs
Timbang ng Unit: 1.380 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.