STGP6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP6M65DF2
STGP6M65DF2

Mfr.:

Paglalarawan:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
Hindi Naka-stock
Lead-Time ng Pabrika:
15 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱104.40 ₱104.40
₱50.98 ₱509.80
₱45.18 ₱4,518.00
₱35.73 ₱17,865.00
₱32.31 ₱32,310.00
₱28.77 ₱57,540.00
₱26.80 ₱134,000.00
₱26.16 ₱261,600.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP6M65DF2
Tube
Brand: STMicroelectronics
Tuloy-tuloy na Collector Current Ic Max: 12 A
Gate-Emitter Leakage Current: +/- 250 uA
Uri ng Produkto: IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 1000
Subcategory: IGBTs
Timbang ng Unit: 1.800 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.