STGP8M120DF3

STMicroelectronics
511-STGP8M120DF3
STGP8M120DF3

Mfr.:

Paglalarawan:
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 1,678

Stock:
1,678 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
15 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱306.82 ₱306.82
₱204.16 ₱2,041.60
₱165.30 ₱16,530.00
₱146.74 ₱73,370.00
₱117.16 ₱117,160.00
₱113.10 ₱226,200.00
10,000 Quote

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
16 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
Brand: STMicroelectronics
Tuloy-tuloy na Collector Current Ic Max: 8 A
Gate-Emitter Leakage Current: 250 uA
Uri ng Produkto: IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 1000
Subcategory: IGBTs
Timbang ng Unit: 2 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.