Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

STL13N60M6

Name: STMicroelectronics STL13N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL13N60M6
Price: 150.8 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

511-STL13N60M6

Mfr. #:

STL13N60M6

Mfr.:

STMicroelectronics

Paglalarawan:

MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

Kumpletuhin ang Iyong Disenyo

Datasheet:

STL13N60M6 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa STMicroelectronics STL13N60M6

May Stock: 2,800

Stock:: 2,800 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 14 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ang mga dami na higit pa sa 2800 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱150.80	₱150.80
	₱96.28	₱962.80
	₱65.54	₱6,554.00
	₱53.59	₱26,795.00
	₱48.37	₱48,370.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱42.17	₱126,510.00
	₱41.64	₱249,840.00
24,000	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	PowerFLAT-5x6-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Id - Continuous Drain Current:	7 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	415 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.25 V
Qg - Gate Charge:	13 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	52 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	MDmesh
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	STMicroelectronics
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	9.4 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	6.5 ns
Series:	Mdmesh M6
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	25.5 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	15.8 ns
Timbang ng Unit:	76 mg

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

STL13N60M6 Datasheet (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Mga MDmesh™ M6 MOSFET

Pinagsasama ng mga STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET ang isang mababang gate charge (Q_g) at isang pinahusay na capacitance profile para ma-target ang mataas na efficiency sa mga bagong topology sa mga power conversion application. Ang series ng super-junction MDmesh M6 ay nag-aalok ng napakataas na efficiency performance na nagreresulta sa dagdag na power density at mababang gate charge para sa mga high frequency. Ang M6 series ng mga MOSFET ay may breakdown voltage na mula 600 hanggang 700V. Available ang mga ito sa maraming iba't ibang packaging option, kasama na ang TO-Leadless (TO-LL) package solution, na nagpapahintulot ng mahusay na thermal management. Ang mga device na ito ay may iba't ibang operating voltage para sa mga industrial application, kasama na ang mga charger, adapter, silver box module, LED lighting, telecom, server, at solar.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.