STP18NM80

STMicroelectronics
511-STP18NM80
STP18NM80

Mfr.:

Paglalarawan:
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 921

Stock:
921 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
14 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱400.78 ₱400.78
₱218.08 ₱2,180.80
₱203.58 ₱20,358.00
₱203.00 ₱203,000.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
295 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
70 nC
- 65 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Brand: STMicroelectronics
Kumpigurasyon: Single
Tagal ng Pagbagsak: 50 ns
Uri ng Produkto: MOSFETs
Tagal ng Pagtaas: 28 ns
Series: STP18NM80
Dami ng Pack ng Pabrika: 1000
Subcategory: Transistors
Uri ng Transistor: 1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off: 96 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on: 18 ns
Timbang ng Unit: 2 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best RDS(on)*Qg in the industry.