STP80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STP80N1K1K6
STP80N1K1K6

Mfr.:

Paglalarawan:
MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 1,062

Stock:
1,062 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
13 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱138.04 ₱138.04
₱89.32 ₱893.20
₱60.90 ₱6,090.00
₱48.49 ₱24,245.00
₱45.47 ₱45,470.00
₱41.30 ₱82,600.00
₱38.74 ₱193,700.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga MOSFET
RoHS:  
Si
Tube
Brand: STMicroelectronics
Uri ng Produkto: MOSFETs
Dami ng Pack ng Pabrika: 1000
Subcategory: Transistors
Timbang ng Unit: 2 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET uses MDmesh K6 technology, leveraging 20 years of experience in super junction technology. The STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET offers top-notch on-resistance per area and gate charge. The device is ideal for high-power density and efficient applications.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.