Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

STP80N600K6

Name: STMicroelectronics STP80N600K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N600K6
Price: 183.28 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

511-STP80N600K6

Mfr. #:

STP80N600K6

Mfr.:

STMicroelectronics

Paglalarawan:

MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

Kumpletuhin ang Iyong Disenyo

Datasheet:

STP80N600K6 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa STMicroelectronics STP80N600K6

May Stock: 888

Stock:: 888 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 13 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱183.28	₱183.28
	₱92.80	₱928.00
	₱85.84	₱8,584.00
	₱71.92	₱35,960.00
	₱58.00	₱58,000.00
	₱57.65	₱288,250.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-220-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V
Id - Continuous Drain Current:	7 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	600 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	10.7 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	86 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Tube
Brand:	STMicroelectronics
Tagal ng Pagbagsak:	12.6 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	4.1 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	50
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	28.2 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	9 ns
Timbang ng Unit:	2 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

STP80N600K6 Datasheet (PDF)

PCN

SPICE Models

STP80N600K6 (I-zip)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET offers a very high voltage, N-channel power solution utilizing the ultimate MDmesh K6 technology. This K6 technology is based on 20 years of STMicroelectronics experience in super junction technology. The result of this technology allows the STMicro STP80N600K6 to feature best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications demanding superior power density and high efficiency.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.