Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

TGF2929-FL

Name: Qorvo TGF2929-FL
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2929-FL
Price: 40127.3 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

772-TGF2929-FL

Mfr. #:

TGF2929-FL

Mfr.:

Qorvo

Paglalarawan:

GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Datasheet:

TGF2929-FL Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Qorvo TGF2929-FL

May Stock: 33

Stock:: 33 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱40,127.30	₱40,127.30

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Qorvo
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	NI-360
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	28 V
Id - Continuous Drain Current:	12 A
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 7 V, + 2 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 2.9 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 85 C
Pd - Power Dissipation:	144 W
Brand:	Qorvo
Maximum na Operating Frequency:	3.5 GHz
Minimum na Operating Frequency:	0 Hz
Maselan sa Moisture:	Yes
Output Power:	100 W
Packaging:	Tray
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Series:	TGF2929
Dami ng Pack ng Pabrika:	25
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN-on-SiC
Uri:	RF Power MOSFET
Mga Alias ng # ng Piyesa :	TGF2929 1123811
Timbang ng Unit:	64.190 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

TGF2929-FL Datasheet (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.