TK063N60Z1,S1F

Toshiba
757-TK063N60Z1S1F
TK063N60Z1,S1F

Mfr.:

Paglalarawan:
MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 73

Stock:
73 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱383.96 ₱383.96
₱289.42 ₱2,894.20
₱183.86 ₱22,063.20
₱161.24 ₱82,232.40

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Toshiba
Kategorya ng Produkto: Mga MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37 A
63 mOhms
30 V
4 V
56 nC
+ 150 C
242 W
Enhancement
Tube
Brand: Toshiba
Kumpigurasyon: Single
Tagal ng Pagbagsak: 5 ns
Uri ng Produkto: MOSFETs
Tagal ng Pagtaas: 50 ns
Dami ng Pack ng Pabrika: 30
Subcategory: Transistors
Uri ng Transistor: 1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off: 105 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on: 84 ns
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [RDS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.