Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

TK210V65Z,LQ

Name: Toshiba TK210V65Z,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK210V65ZLQ
Price: 102.08 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

757-TK210V65ZLQ

Mfr. #:

TK210V65Z,LQ

Mfr.:

Toshiba

Paglalarawan:

MOSFETs MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

Datasheet:

TK210V65Z,LQ Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Toshiba TK210V65Z,LQ

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 2500 Mga Multiple: 2500

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2500)
	₱102.08	₱255,200.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Toshiba
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	DFN-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	15 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	210 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	25 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	130 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel
Brand:	Toshiba
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	4 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	14 ns
Series:	DTMOS VI
Dami ng Pack ng Pabrika:	2500
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	66 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	34 ns
Timbang ng Unit:	161.193 mg

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

TK210V65Z,LQ Datasheet (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.