UJ3N065080K3S

onsemi
431-UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S

Mfr.:

Paglalarawan:
JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO2

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 469

Stock:
469 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
31 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱655.40 ₱655.40
₱391.50 ₱3,915.00
₱313.20 ₱31,320.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
onsemi
Kategorya ng Produkto: Mga JFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Single
650 V
20 V
32 A
80 mOhms
190 W
- 55 C
+ 175 C
UJ3N
AEC-Q101
Tube
Brand: onsemi
Uri ng Produkto: JFETs
Dami ng Pack ng Pabrika: 600
Subcategory: Transistors
Pangalang pangkalakal: SiC JFET
Timbang ng Unit: 15.489 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.