QPA1009

Qorvo
772-QPA1009
QPA1009

Mfr.:

Paglalarawan:
RF Amplifier 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.
Maaaring mangailangan ng karagdagang dokumentasyon ang produktong ito para ma-export sa United States.

Availability

Stock:
0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

Inoorder:
20
Inaasahan 6/10/2026
Lead-Time ng Pabrika:
16
(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱22,630.44 ₱22,630.44
₱19,570.36 ₱195,703.60
₱18,808.82 ₱376,176.40
260 Quote

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Qorvo
Kategorya ng Produkto: RF Amplifier
Mga Paghihigpit sa Pagpapadala:
 Maaaring mangailangan ng karagdagang dokumentasyon ang produktong ito para ma-export sa United States.
RoHS:  
10.7 GHz to 12.7 GHz
16 dB
SMD/SMT
GaN
- 40 C
+ 85 C
QPA1009
Tray
Brand: Qorvo
Input Return Loss: 18 dB
Maselan sa Moisture: Yes
Dami ng Channel: 1 Channel
Pd - Power Dissipation: 59.5 W
Uri ng Produkto: RF Amplifier
Dami ng Pack ng Pabrika: 20
Subcategory: Wireless & RF Integrated Circuits
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.b.2

QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier

Qorvo QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier operates from 10.7GHz to 12.7GHz, delivering 42dBm of saturated output power and 16dB of large signal gain while achieving 33% power-added efficiency. The QPA1009 RF ports have DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. The device's RF input port is DC coupled to ground for optimum ESD performance. The QPA1009 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.