CoolSiC™ 650V G2 MOSFET

Infineon Technologies  CoolSiC™ 650V G2 MOSFET ay gumagamit ng mga kakayahan sa pagganap ng silicon carbide sa pamamagitan ng pagpapagana ng mas mababang pagkawala ng enerhiya, na nagsasalin sa mas mataas na kahusayan sa panahon ng conversion ng kuryente. Maraming naitutulong ang Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET para sa iba't ibang power semiconductor application gaya ng photovoltaics, energy storage, DC EV charging, mga motor drive, at industrial power supply. Kapag may CoolSiC G2 ang isang DC fast charging station na para sa mga electric vehicle, hanggang 10% na less ang power loss kaysa sa mga naunang generation habang nagiging mas mataas ang charging capacity nang hindi nakokompromiso ang mga form factor.

Mga Resulta: 53
Pumili Larawan # ng Piyesa
 Mfr.
Paglalarawan Datasheet Availability Pagpepresyo (PHP) I-filter ang mga resulta sa talahanayan ayon sa unit price batay sa iyong dami.
Dami RoHS ECAD Model Isitilo ng Mounting
Package / Case
Polarity ng Transistor
Dami ng Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Id - Continuous Drain Current
Rds On - Drain-Source Resistance
Vgs - Gate-Source Voltage
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Qg - Gate Charge
Minimum na Operating Temperature
Maximum na Operating Temperature
Pd - Power Dissipation
Channel Mode
Pangalang pangkalakal
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datasheet
3,999Inaasahan 7/9/2026
Available ang MouseReel
Min.: 1
Mult.: 1
Reel: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datasheet
1,680Inaasahan 6/18/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Datasheet
6,960Inoorder
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC